光學臨界尺寸(OCD)和高級膜分析計量
FilmTek TM CD光學關鍵尺寸系統是SCI針對1x nm設計節點及更高級別的全自動化,高通量CD測量和高級薄膜分析的領先解決方案。該系統可同時為已知和完全未知的結構提供即時多層堆疊特性和CD測量。
FilmTek TM CD採用專利的多模式測量技術來滿足與開發和生產中最複雜的半導體設計功能相關的挑戰性要求。該技術能夠測量極小的線寬,在10nm以下的範圍內進行高精度測量。
依賴傳統橢偏儀或反射測量技術的現有測量工具在即時準確解析CD測量的能力方面受到限制,在設備研發過程中需要繁瑣的庫生成。FilmTek TM CD通過獲得專利的多模式測量技術克服了這一限制,即使對於完全未知的結構也能提供準確的單一解決方案。
FilmTek TM CD包含專有衍射軟體,可實現快速,即時的優化。即時優化允許用戶使用最少的設置時間和配方開發輕鬆測量未知結構,同時避免與庫生成相關的延遲和複雜性。
主要特徵:
多模式測量技術,用於在1x nm設計節點及更高級別進行即時多層堆疊特性分析和CD測量。
專有嚴格耦合波分析(RCWA)的多角度散射測量
正常入射光譜橢偏儀
帶旋轉補償器設計的光譜廣義橢偏儀(4×4矩陣泛化法)
多角度,DUV-NIR偏振光譜反射(R s,R p,R sp和R ps)
完整的CD參數測量包括週期,線寬,溝槽深度和側壁角度
獨立測量薄膜厚度和折射率
專利抛物面反射鏡技術 - 在50×50μm的特點內採用小光斑尺寸測量
快速,即時的優化允許以最少的設置時間實現廣泛的應用(無需生成庫)
模式識別(Cognex)
盒式晶圓處理盒
FOUP或SMIF相容
SECS / GEM
應用
厚度,折射率和光學CD測量
未知薄膜的光學常數表徵
超薄膜疊層的厚度
廣泛的臨界尺寸測量應用,包括金屬柵極凹陷,高k凹陷,側壁角度,抗蝕劑高度,硬掩膜高度,溝槽和觸點輪廓以及俯仰步行
技術規格 | |
薄膜厚度範圍: | 0到150μm |
薄膜厚度準確度: | NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å |
光譜範圍: | 190nm至1000nm(標準為220nm至1000nm) |
測量點大小: | 50微米 |
光譜解析度: | 為0.3nm |
光源: | 受控氘鹵素燈(壽命2,000小時) |
檢測器類型: | 2048圖元索尼線性CCD陣列 |
電腦: | 帶有Windows™7作業系統的多核處理器 |
測量時間: | 〜2秒(例如氧化膜) |
性能規格 | |||
電影(S) | 厚度 | 測量參數 | 精度(1σ) |
氧化物/矽 | 0-1000Å | Ť | 0.03Å |
1000-500,000? | Ť | 0.005% | |
1000Å | t,n | 0.2 / 0.0001 | |
15,000Å | t,n | 0.5 / 0.0001 | |
150,000Å | t,n | 1.5埃/0.00001 | |
光刻膠/矽 | 2 00-10,000Å | Ť | 0.02% |
5 00-10,000Å | t,n | 0.05%/ 0.0002 | |
氮化物/矽 | 2 00-10,000Å | Ť | 0.02% |
5 00-10,000Å | t,n | 0.05%/ 0.0005 | |
多晶矽/氧化物/矽 | 2 00-10,000Å | t Poly,t Oxide | 0.2埃/ 0.1埃 |
5 00-10,000Å | t Poly,t Oxide | 0.2 / 0.0005 |
為了適應廣泛的預算和最終用途應用,該系統還可作為手動負載,用於研發的臺式單元。