MicroSense全新UltraMap C200測量系統使用快速準確的非接觸式電容式感測器提供全晶圓,高速測量半導體材料。
MicroSense電容感測器技術
在生產環境中適用於剛線切好的矽片,研磨後的矽片,單面拋光片或雙面拋光片的全高解析度測量。
UltraMap C200系統既有低成本的臺式系統,也有全自動分揀配置,最多可有六個卡夾。
覆蓋範圍:
•厚度
•TTV / TIR / LTV / LTIR
•Bow/Warp
快速,準確的測量
•產能90片晶圓/小時(尺寸為150mm的矽片)
•> 100,000個測量點
•0.05μm的TTV重複性
•2D和3Dmapping功能
友好的產線相容性
•可測量剛線切的晶片,研磨片,和拋光片
•可適合非潔淨室環境
•具自動校準功能
測量參數 | 精度1 | 1西格瑪的重複性2 | 顯示解析度 |
厚度:中間,最小,最大,平均 | ± 0.10 μm | 0.05 μm | 10 nm |
整片平坦度 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
TTV | |||
TIR | |||
FPD | |||
局部平坦度3 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
局部厚度的變化(LTV) | |||
局部總指示讀數(LTIR) | |||
局部焦平面的偏差(LFPD) | |||
Bow和Warp | 0.5 μm + 讀數的0.5% | 10 nm | |
Bow | |||
Warp | |||
Sori |
1精度是對已知的標準值。多重C200計量系統將與之精度相匹配的規格。
2 基於10次傳遞,晶圓載入和卸載進行1西格瑪規格的重複性實驗。
3 LTV = SBIR, LTIR = SFQR, LFPD = SFQD
矽片規格 | 系統組態 |
直徑:50mm,100mm,150mm,200mm 直徑公差:±0.5mm 厚度範圍:300至1400um 動態範圍: 厚度:±50um 彎曲度/翹曲度:±250um 表面: 剛線切完的矽片,研磨片,及拋光片 基準點:平邊或notch | 矽片傳送:機械手臂 測量定位:精密空氣軸承 預對準器:可選 OCR閱讀器:可選 SECS / GEM:可選 卡夾:最多6個 校準:自動 可靠性(MTBF):10,000 |