400S型允許將HBM或MM ESD應力切換到各種形狀DUT,然後通過非常少的程式設計自動檢測損壞或退化。甚至設計師都可以隨時測試新設計的ESD性能。
從晶圓到封裝的ESD性能測試
通過定期晶圓測試進行過程監控
允許晶片位置和ESD性能之間的相關性測試
多次返回允許ESD電流路徑驗證
實現新設備的快速ESD性能測試
減少設備開發時間
1.來源測試單元/傷害標準
極性:正,負
強制電壓
範圍:0至30V
數字:3
最小階段:10mV
表格:4個表格(Vf-A至Vf-D)
當前測量
範圍:0到200mA
數位:3
解析度:10nA(*)
平均值:1,2,4,8,16,32次
啟動範圍:1,10,100,1000μA
限制器:2,20,200mA
採樣點:1到91個採樣
測量速度:快/慢
傷害檢測點:1至10點
損壞標準:初始電流*(1至100)%+(100nA至1mA)
2. ESD脈衝
極性:正和負
時間:大約1秒
重複次數:1至100次
消除電荷:支持
Zap電壓
HBM:0至400V / 5V步進
400至4000V / 50V步進
MM:0至400V / 5V步進
400至4000V / 50V步進
準確度:設定值的±1%±5V
波形:MIL,JEDEC,JEITA等
3.測試程式
半自動測試
自動測試
V / I曲線測量
ESD zapping