ESD/CDM晶圓等級抗靜電能力測試系統

  • 產品型號:Model 400S Series
  • 制造原廠:Tokyo Electronics Trading Co. Ltd.

400S型允許將HBM或MM ESD應力切換到各種形狀DUT,然後通過非常少的程式設計自動檢測損壞或退化。甚至設計師都可以隨時測試新設計的ESD性能。

  • 從晶圓到封裝的ESD性能測試

  • 通過定期晶圓測試進行過程監控

  • 允許晶片位置和ESD性能之間的相關性測試

  • 多次返回允許ESD電流路徑驗證

  • 實現新設備的快速ESD性能測試

  • 減少設備開發時間


1.來源測試單元/傷害標準

極性:正,負

強制電壓

範圍:0至30V

數字:3

最小階段:10mV

表格:4個表格(Vf-A至Vf-D)

當前測量

範圍:0到200mA

數位:3

解析度:10nA(*)

平均值:1,2,4,8,16,32次

啟動範圍:1,10,100,1000μA

限制器:2,20,200mA

採樣點:1到91個採樣

測量速度:快/慢

傷害檢測點:1至10點

損壞標準:初始電流*(1至100)%+(100nA至1mA)

2. ESD脈衝

極性:正和負

時間:大約1秒

重複次數:1至100次

消除電荷:支持

Zap電壓

HBM:0至400V / 5V步進

400至4000V / 50V步進

MM:0至400V / 5V步進

400至4000V / 50V步進

準確度:設定值的±1%±5V

波形:MIL,JEDEC,JEITA等

3.測試程式

半自動測試

自動測試

V / I曲線測量

ESD zapping