DUV-NIR 光譜反射儀
FilmTek™2000測試系統專為快速,可靠,準確地表徵幾乎所有未圖案化的薄膜而設計。FilmTek™2000是一款完全集成的系統,結合了DUV-NIR光纖分光光度計,自動測試台和先進的材料模型軟體,使得即使是最嚴格的測量任務也能既可靠又直觀。
FilmTek™套裝軟體含完全用戶自訂的晶圓多點測試功能,可快速生成任何測量參數的2D和3D資料圖。除使用者定義的模式外,標準模式還包括極座標,X-Y,rθ或線性。
FilmTek™2000將SCI的廣義材料模型與先進的全域優化演算法結合在一起,可在每個測試點於1秒內同時測定多個薄膜參數。
測試能力
同時測定:
多層膜厚
折射率[n(λ)]
消光(吸收)係數[k(λ)]
能帶隙[Eg]
組成(例如,SiGex中的%Ge,GaxIn1-xAs中的%鋁在Al x Ga 1-x As等中)
表面粗糙度
成分,空隙率
結晶度/非晶化度(例如,多晶矽或GeSbTe薄膜的結晶度)
薄膜梯度
低成本
FilmTek™2000的擁有成本僅為可比的自動化臺式計量系統的一小部分。
直觀的,完全自動化的系統
與DUV-NIR光纖分光光度計,自動測試台,電腦和高級材料模型軟體完全集成的系統。 FilmTek™2000軟體可自動進行測量校準,資料獲取和分析,因此不需要操作者具備薄膜光學設計或測量技術的經驗。
技術規格:
膜厚範圍: 5nm-150um
膜厚精度:±1.5Å(基於NIST追溯氧化物薄膜,100nm到1um厚度)
波長範圍:190nm-1700nm(標準配置240nm-1000nm)
測試點尺寸:2mm-5mm(標準配置5mm)
樣品尺寸:2mm-300mm (標準配置150mm測試台)
光譜解析度:0.3-2nm
光源:氘鹵素燈(壽命2,000小時)
探測器類型: 2048圖元CCD陣列/512圖元 InGaAs陣列(NIR)
測試時間:小於1s/點(氧化物薄膜典型值)
資料獲取時間:0.2s
技術規格 | |
薄膜厚度範圍: | 5nm至350μm(標準為5nm至150μm) |
薄膜厚度準確度: | NIST可溯源標準氧化物1000Å至1μm為±1.5Å |
CD精度(1σ): | <0.2% |
光譜範圍: | 380nm至1700nm(380nm至1000nm是標準) |
測量點大小: | 2μm(5×10μm標準,10倍物鏡) |
樣本量: | 2mm至300mm(標準為150mm) |
光譜解析度: | 0.3-2nm |
光源: | 穩定的鹵素燈(壽命2,000小時) |
檢測器類型: | 2048圖元索尼線性CCD陣列/ 512圖元冷卻濱松InGaAs CCD陣列(NIR) |
電腦: | 帶有Windows™7作業系統的多核處理器 |
測量時間: | 每個部位<1秒(例如氧化膜) |
性能规格 | |||
电影(S) | 厚度 | 测量参数 | 精度(1σ) |
氧化物/硅 | 50-1000nm | t | 0.025纳米 |
1-150微米 | t | 0.005% |