FilmTek™4000光譜度量測系統提供針對光子積體電路製造進行優化的全自動晶圓薄膜厚度量測。該系統提供了多項改進措施，旨在説明光學元件製造商以更低的成本可靠地提高其產品的功能產量。
利用多角度反射儀和專利多角度差分功率譜密度分析功能，FilmTek™4000提供無與倫比的測量精度，滿足客戶製造規範要求。測量解析度通過每個包層和核心層的獨立厚度和指數（TE和TM模式）測量來優化，指數測量解析度高達2×10 -5。這比最好的非接觸式方法提供了100倍的性能優勢，是最好的棱鏡耦合器接觸系統的10倍。
非破壞性測量技術允許在整個晶圓上進行測量，這種破壞性棱鏡耦合系統無法在不損失產品良率的情況下進行測量。
增加一個熱板選項可以將折射率和熱膨脹表徵為溫度的函數。
FilmTek™4000有多種配置可供選擇，從適用於研發的桌面系統到全自動化的獨立生產工具。
FilmTek™4000原理
FilmTek™4000採用SCI的專利DPSD（差分功率譜密度）技術進行高精度折射率測量。光譜反射資料以正常入射角和70度收集。PSD處理在功率譜密度域中產生兩個峰值。它們的位置比是薄膜的折射率和傾斜測量的入射角的函數。該比率用於計算指數。一旦已知指數，厚度可以從正常入射峰值的光學厚度計算。
主要特徵：
多角度，偏振光譜反射（400nm-1700nm）
獨立測量薄膜厚度和折射率
2×10 -5折射率解析度
帶自動對焦的自動舞臺
自動光束對準
成像測量位置的相機
可選的帶旋轉補償器設計的光譜橢偏儀（400nm-1700nm）
可選功能：
盒式晶圓處理盒
FOUP和SMIF相容
模式識別（Cognex）
SECS / GEM
測量功能：
FilmTek™4000結合了SCI的廣義材料模型和先進的全域優化演算法，可同時測定：
從0到250μm的多層厚度（帶SE選項）
光學性能從400nm-1700nm
TE和TM折射率[n（λ）]
消光（吸收）係數[k（λ）]
能帶隙[E g ]
成分，空隙分數
SiO 2薄膜性能與溫度的關係
在一次加熱 - 冷卻迴圈過程中，通過帶有加熱卡盤的FilmTek™4000進行測量。
技術規格 | |
薄膜厚度範圍： | 0Å至250μm（帶SE選件） |
薄膜厚度準確度： | NIST可追溯標準氧化物5000Å至1μm為±1.5Å |
精度（1σ）： | 5μm氧化物（t，n）：2Å/ 0.00002 |
光譜範圍： | 380nm至1700nm（380nm至1000nm是標準） |
測量點大小： | 1mm（正常入射）; 2mm（70°） |
光譜解析度： | 可見：0.3nm / NIR：2nm |
光源： | 穩定的鹵素燈（壽命為10,000小時） |
檢測器類型： | 2048圖元索尼線性CCD陣列/ 512圖元冷卻濱松InGaAs CCD陣列（NIR） |
自動化階段： | 150mm至300mm（標準200mm） |
電腦： | 帶有Windows™7作業系統的多核處理器 |
測量時間： | 每個部位<5秒（如氧化膜） |
