隨著第三代半導體,如SiC,AlN等材料的出現和發展,出現了新的測試難題.這種新的寬禁帶半導體晶圓,在未進行摻雜之前的襯底階段,其電阻率非常高,常規的無接觸電阻測試方法,無法進行測試.而較常用的四探針電阻率測試儀,則用於整流效應的存在,探針與材料表面不能形成有限的歐姆接觸,因此也無法測試.
德國Semimap公司推出的COREMA系列,可以完美測試第三代半導體晶圓的電阻率,因此得到廣泛的使用.
測試實例
SiC晶圓
技術規格
測量範圍: 1e5 ohm-cm 到 1e12 ohm-cm
探頭尺寸: 直徑1mm
重複性: 1e6 ohm-cm到1e9 ohm-cm以內,小於1%;其他範圍,小於10%;
去邊距離: 標準5mm,最小2.5mm
電阻率測試時間: 單點,阻值在107 ohm-cm時,約為270ms,含平臺移動1mm的時間
整片測試時間: 100mm直徑,1mm測試間距情況下,約36分鐘
測試點數:最多1024Χ1024個資料點
XY移動平臺:150mmΧ150mm
上片方式:手動
探頭高度調整:自動調整
真空載片盤:150mm直徑,自帶真空泵
遮光罩:測試區域配備阻光罩
移動速度: 最大每秒40mm
重定位精度: 10um
測量範圍: 105 ohm-cm 到 1012 ohm-cm
探頭尺寸: 直徑1mm
重複性:
1x106Ohm-cm – 1x109 Ohm-cm, 測試資料偏差小於1%
1x105 Ohm-cm– 1x106 Ohm-cm, 測試資料偏差小於10%
1x109 Ohm-cm– 1x1012 Ohm-cm, 測試資料偏差小於10%
去邊距離: 標準5mm,最小2.5mm
電阻率測試時間: 單點,阻值在107 ohm-cm時,約為270ms,含平臺移動1mm的時間
整片測試時間: 100mm直徑,1mm測試間距情況下,約36分鐘
