全新的OAI 800E型前後側半自動掩模光刻系統提供了自動化生產掩模光刻機中常見的高級功能和規格。隨著這種新型掩膜光刻機的發展,OAI採用新型掩膜光刻機來滿足日益增長的半導體和MEMS市場的挑戰,這種掩膜光刻機專為研發和小批量生產而設計。
基於OAI經過驗證的模組化平臺,Model 800E是一款增強型高性能高解析度光刻系統,以極具吸引力的價格提供高水準的性能。對準儀系統具有OAI的先進光束光學系統,可提供出色的均勻性。使用OAI的精密光刻模組進行升級,800E型是實驗室或小批量生產中的高度通用的工具。 800E型採用Windows 7 PC控制平臺,具有廣泛的Recipe存儲量。該系統還帶有操縱杆控制的對準和光學平臺,並可配置非接觸式3點楔形效果校正和自動對準功能。這些組合功能通常在自動化生產掩模對準系統中才能找到,但現在可以以更實惠的價格購買800E型。
800E型號是獨一無二的,因為它包含了OAI 6000型生產光罩對準工具中的高級功能。通過使用經過驗證的OAI模組化光罩對準器平臺,我們能夠採用更先進的工具技術以更實惠的價格生產出強大的系統。
標準的正面光罩對準器功能包括:雙1MP解析度的GIGE CCD相機,電動操縱杆,真空,硬軟接近曝光模式和自動楔效應補償。標準背面功能包括所有正面功能以及兩個附加相機,數碼變焦和機動背面光學聚焦。
增強的性能:
雙1 MP解析度GigE CCD相機,帶有連續變焦光學元件,可提供更好的對準精度
目標距離44-200mm
光學放大倍數70x - 400x
大型光學元件Y平行對準
增強的數位圖像捕捉和混合圖像覆蓋,從而獲得更好的前後覆蓋精度
電腦控制的照明更加可重複的對齊
利用Cognex最新的模式識別技術進行自動對齊
包括CD測量功能
背面對準180x光學背面放大,數碼變焦和電動自動對焦
自動楔效應補償包括3點楔效平衡和自動間隙設置
對準工具和光學元件的操縱杆控制
其他能力:
IR背面添加4個相機背面對準系統
可以添加納米壓印光刻(NIL)模組和入門工具包
接觸式液體光聚合物CLPP微流控工藝模組
其他特性:
易於從上表面對準升級到上下表面對準
易於使用OAI的精密光刻模組來增強您的系統
易於操作和維護
用戶的人體工程學設計
正面/背面掩膜對準系統
掩膜旋轉:不需要(相機補償前/後)
掩膜尺寸:最大9“x9”
掩膜裝載:真空和機械夾鉗
掩膜/襯底分離:手動,用戶可定義,無限可變
掩膜/基材壓力:用戶可定義
夾盤運動控制:X,Y,Z和Theta(差分微米)
曝光間隙:0-3000μm
間隙調整:1μm
機械解析度:1.5μm
X,Y行程:±10mm
Theta行程:±4°
調平:楔形補償系統
覆蓋精度:前後<2μm(3s) - 上側至0.5μm
襯底尺寸:200平方毫米
曝光模式:接近式,軟,硬和真空接觸
曝光解析度:軟接觸 - 2μm,硬接觸亞微米
曝光時間:1-3,200,以0.1秒為增量