在本征氧化物上具有0.03Å重複性的光譜橢偏儀
FilmTek™2000 SE臺式測量系統為無圖案薄至厚膜應用提供無與倫比的測量性能，多功能性和速度。它非常適合學術和研發環境。
FilmTek™2000 SE結合了光譜橢偏法和DUV多角度偏振反射法，可同時測量薄膜厚度，折射率和消光係數。
我們先進的旋轉補償器設計可在整個Δ（Δ）範圍內實現精度和精度，包括接近0°和180°。當布魯斯特條件附近不可能進行測量時，這可以實現最佳性能，這是精確測量矽或玻璃基底上非常薄的薄膜所必需的特性。
測量高效且簡單。數以千計的波長在數秒內同時採集，集成的自動對焦功能消除了類似橢圓儀所需的手動樣品對準的繁瑣任務。
FilmTek™2000 SE是一款完全集成的套裝軟體，與直觀的材料建模軟體配合使用，即使是要求最苛刻的測量任務也能簡單可靠。FilmTek™套裝軟體含完全用戶可自訂的樣品製圖功能，可快速生成任何測量參數的2D和3D資料圖。除使用者定義的模式外，標準地圖模式還包括極座標，XY，rθ或線性。
主要特徵：
帶旋轉補償器設計的光譜橢偏儀（300nm-1700nm）
多角度，偏振光譜反射（240nm-1700nm）
獨立測量薄膜厚度和折射率
帶自動對焦的自動舞臺
測量超薄膜的理想選擇（對原生氧化物的重複性為0.03？）
各向異性測量（n x，n y，n z）的可選廣義橢圓測量法（4×4矩陣泛化法）
測量功能：
FilmTek™2000 SE結合SCI的廣義材料模型和先進的全域優化演算法，可同時測定：
多層厚度
折射率[n（λ）]
消光（吸收）係數[k（λ）]
能帶隙[E g ]
組成（例如，SiGe x中的％Ge，Ga x In 1-x As中的％Ga ，Al x Ga 1-x As中的％Al 等）
表面粗糙度
成分，空隙分數
結晶度/非晶化（例如，多晶矽或GeSbTe膜的結晶度）
電影漸變
應用
幾乎所有半透明膜的厚度範圍從1埃到約150微米都可以高精度測量。典型應用包括：
半導體和介電材料
多層光學鍍膜
光學增透膜
電光材料
電腦磁片
塗層玻璃
薄金屬
太陽能電池
示例電影
SiO x
SiN x
DLC
SOG
光刻膠
薄金屬
的a-Si
的aC：H
ITO
多晶矽
聚醯亞胺
低k電介質薄膜
示例襯底
矽
SOS
砷化鎵
磷化銦
鋁
銅
玻璃
技術規格 | |
薄膜厚度範圍： | 0到150μm |
薄膜厚度準確度： | NIST可追蹤標準氧化物100Å到1μm的±1.0Å |
光譜範圍： | 240nm至1700nm（標準為240nm至1000nm） |
測量點大小： | 3毫米 |
樣本量： | 2mm至300mm（150mm標準） |
光譜解析度： | 0.3-2nm |
光源： | 受控氘鹵素燈（壽命2,000小時） |
檢測器類型： | 2048圖元索尼線性CCD陣列/ 512圖元冷卻濱松InGaAs CCD陣列（NIR） |
自動對焦自動舞臺 | 300mm（標準200mm） |
電腦： | 帶有Windows™7作業系統的多核處理器 |
測量時間： | 〜2秒（例如氧化膜） |
性能規格 | |||
電影（S） | 厚度 | 測量參數 | 精度（1σ） |
氧化物/矽 | 0-1000Å | t | 0.03Å |
1000-500,000？ | t | 0.005％ | |
1000Å | t，n | 0.2 / 0.0001 | |
15,000Å | t，n | 0.5 / 0.0001 | |
150,000Å | t，n | 1.5Å/0.00001 | |
光刻膠/矽 | 2 00-10,000Å | t | 0.02％ |
5 00-10,000Å | t，n | 0.05％/ 0.0002 | |
氮化物/矽 | 2 00-10,000Å | t | 0.02％ |
5 00-10,000Å | t，n | 0.05％/ 0.0005 | |
多晶矽/氧化物/矽 | 2 00-10,000Å | t Poly，t Oxide | 0.2Å/ 0.1Å |
5 00-10,000Å | t Poly，t Oxide | 0.2 / 0.0005 | |
