半导体专用傅立叶变换红外光谱仪

  • 产品型号:QS1200
  • 制造原厂:Nanometrics Inc.

QS-1200用于测试SiC外延层厚度,配备FilmZ和PD EPI模块, 其中FilmZ用于测试SiC/SiC, Si/Si, III/V, SOI,MEMS,PR(大于1um)等. PD EPI模块可测试多层SiC外延层.带有12inch多点样品台,直接测试得到多点测试图谱

  • SiC膜厚测试范围 2um-250um

  • SiC膜厚测试精度 0.01um,典型值

  • SiC膜厚测试重复性(3-sigma,10次) 3nm(FilmZ), 1nm(PD EPI) 基于贵司送测样品

  • 常规膜厚测试范围 0.5um-1000um. 与材料有关

  • 高强度水冷散热的陶瓷外壳中红外光源 输出光谱范围9600 cm-1 -50cm-1 

  • KBr光束分频器,中红外光通量 7500-375 cm-1

  • 光谱测试范围 6000cm-1 - 400cm-1 (1.7 um to 25 um)

  • 光谱解析度 0.5 cm-1 - 32 cm-1

  • 信噪比 50000:1

  • 测试时间 单点小于5s

  • 300mm多点测试平台 系统软件直接生成多点mapping图,2D和3D图形

  • 兼容小尺寸 2-8inch

  • Michelson干涉仪,  60°空气轴承结构的

  • 分光镜 2.25inch直径

  • 入射角 30度