深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。
脉冲发生器电压范围 ±100v,解析度0.3mV
脉冲宽度 1us-1000s
电容测量的高频信号 1M Hz
电容补偿范围 1pF- 3300pF
HF–频率: 1M Hz
HF-信号: 100mV
电容测试范围 2pF,20pF,200pF,2000pF,自动或手动
电容测试灵敏度 0.01fF
电流放大器最大测试电流: 15mA
电流放大器电流分辨率 10pA
数字瞬态记录器最大采样 64000点
数字瞬态记录器采样间隔 2us-4s
耦合方式 提供28种耦合方式,包括Boxcar和Lock-in方式.一次变温即可得到28组曲线和数据点
单个温度点测试参数序列 单温度点设置18种测试参数序列,无需重复变温即可得到不同测试参数
测试模式
C-DLTS (Capacitance DLTS)
CC-DLTS (Constant Capacitance DLTS , with CC option)
I-DLTS (Current DLTS )
Q-DLTS (Charge -DLTS)
FET DLTS (3 term DLTS 2 nd voltage source included as a standard)
DD-DLTS (Transient difference DLTS)
ITS (Isothermal Transient (C or I) Spectroscopy )
PICS (Photon induced transient (C or I) spectroscopy
Capture DLTS (capturing transient measurement)
Laplace-DLTS (Logarithmic transient measurements and evaluations)
MIS - Nss DLTS
