FilmTek™2000M TSV先进的半导体封装测量系统为通过硅通孔（TSV），铜柱，凸块，重新分布层（RDL）和其他方法的高通量测量抗蚀剂厚度提供了无与伦比的速度，精度和精度组合包装过程。
TSV蚀刻深度和深度均匀性对于确保TSV制造期间的高产量至关重要。 FilmTek™2000M TSV可轻松确定直径大于1μm的通孔结构的蚀刻深度，最大蚀刻深度可达500μm。其他功能还包括测量微凸起，沟槽以及各种其他结构和应用的高度或深度，关键尺寸和膜厚度。
测量功能：TSV刻蚀深度，凸点高度，临界尺寸和薄膜厚度
晶圆处理：Brooks或SCI
基板尺寸：200或300mm
模式识别：Cognex
CD精度（1σ）：<0.2％
刻蚀深度精度（1σ）：<0.005 ％
薄膜厚度范围：
膜厚精度（1σ）：<0.005％
光源：卤素灯
检测器类型：2048像素线性CCD阵列
