小型變溫變磁場霍爾效應測試系統,測試儀配備變溫和變磁場以及手動探針模組,變溫範圍達到-196度到+600度,變溫平臺22mm直徑,配備觀察窗可觀測樣品情況並可以額外配備外置光學照射.電磁場範圍0.4T/1.5T可調(與距離有關),可以受系統軟體控制進行變溫變磁場聯合測試.配備專用手動探針模組,包含小型積分球和兩個可調探針座,自帶小型光譜儀模組,可以選擇搭配源表和軟體(需另外配置),對被測樣品進行電學和光學性能檢測..
可以選擇的兩款LN2變溫系統
1. 英國Linkam 系統,設計精巧,整個系統採用compact design,做工精緻. 溫度範圍-196°到室溫,200°,400°和600°不等
2. 美國Instec變溫系統
系統功能 測量半導體的電阻率、載流子濃度、遷移率以及它們的變溫曲線、霍爾係數、磁致電阻等
系統組態 霍爾效應測試主機，變溫平臺以及溫控器和液氮罐，永磁體以及切換控制器
被測樣品尺寸範圍 標準10mm*10mm
變溫樣品台尺寸 最大53.5mm*43mm
變溫範圍 -196°C 到 600°C
溫度穩定度 0.01°C
最小變溫速率 0.01°C/分鐘
最大變溫速率 50°C/分鐘
可測試的半導體材料 Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等半導體合金薄膜(P型和N型)
磁場強度 0.4T/1.5T距離有關,典型值,永磁體,手動磁體極性變換
磁場穩定性 ±5%
磁頭直徑 40mm,有效作用區域,10mm
磁極間隙 5-30mm
霍爾電壓範圍 10uV-10V
霍爾電壓解析度 1uV,典型值500nV
輸入阻抗 1e13 ohm
電流範圍 1nA-10mA
最大電流解析度 25pA
電阻測試範圍 1m ohm-100M ohm(典型值)
電阻率範圍(1um厚度) 10-5 到 107 ohm-cm(典型值)
載流子濃度 105 到 1020 cm-3
