自動，非接觸式測量薄膜，圖形化和裸晶圓-150mm和200mm直徑。
MicroSense UltraMap UMA-C200-STR測量系統使用具有納米級厚度解析度的非接觸式電容感測器，提供矽晶圓的全晶圓，高速幾何測量。在每個晶圓上測量超過120,000個資料以生成高解析度晶圓圖。
該系統根據SEMI標準測量晶圓的厚度，平整度，彎曲和翹曲度。 MicroSense UltraMap StressMap軟體根據高解析度晶圓預沉積形狀資料提供精確的晶圓應力測量。
在每個晶圓測量前後，系統都會自動進行校準以獲得最佳重複性。晶圓自動裝載到系統中，然後在測量過程中通過精密直接驅動空氣軸承X-Y台自動定位。
UltraMap測量軟體 - 一個功能強大的多功能晶圓資料分析工具，用於精確的程序控制
MicroSense UltraMap軟體提供全面的SEMI標準晶圓厚度/平坦度/形狀測量，包括局部和全域平坦度以及晶圓應力。提供2D和3D晶圓圖。 MicroSense Stress Map軟體提供了基於全晶圓映射的全面晶圓應力度量。
全晶圓局部應力映射用於工藝優化
對於工藝工具的監測，優化和匹配以實現產量最大化，需要對關鍵薄膜層進行應力測量。
應力不均勻可能會影響器件性能。
應力不均勻可能導致設備由於剝落/開裂而失效。
由於晶圓彎曲過度，高應力會導致光刻技術出現卡盤問題（散焦）。
隨著製造商從150mm矽晶片轉型而來，200mm晶圓的應力測量有助於減少晶圓邊緣禁區以增加產量，這對於解決近邊晶粒的良率問題是一種有用的工具。
MicroSense UltraMap UMA-C200-STR為每個晶圓測量提供全面的資料：
· 晶圓厚度
· 平均晶圓bow和warp，平均晶圓曲率半徑§
· 平均晶圓膜壓力
· 最小值和最大值的2D局部應力圖
· 最小值和最大值的3D局部應力圖
· 特定方向的局部線應力剖面，包括最小值和最大值。
所有的資料和圖像均可匯出
測量參數 | 精度1 | 1西格瑪的重複性2 | 顯示解析度 |
厚度：中間，最小，最大，平均 | ± 0.10 μm | 0.05 μm | 10 nm |
全球平坦度 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
TTV | |||
TIR | |||
FPD | |||
局部平坦度3 | ± 0.05 μm | 0.05 μm | 10 nm |
局部厚度的變化(LTV) | |||
局部總指示讀數(LTIR) | |||
局部焦平面的偏差(LFPD） | |||
Bow和Warp | 0.25 μm + 讀數的0.5% | 10 nm | |
Bow | |||
Warp | |||
Sori |
1精度是對已知的標準值。多重C200計量系統將與之精度相匹配的規格。
2基於10次傳遞，晶片負荷和卸載進行1西格瑪規格的重複性實驗。
3 LTV = SBIR, LTIR = SFQR, LFPD = SFQD
測量產能（Wph） - 全晶圓掃描
150mm / 65 200MM / 50
資料分析
測量參數：厚度，TTV，TIR，LTV，彎曲度，翹曲度
晶圓圖：輪廓，3D表面， LTV，晶圓應力
晶圓規格 | 系統組態 |
直徑：150mm，200mm | 晶圓傳送：機械手臂 |
