QS-1200用於測試SiC外延層厚度,配備FilmZ和PD EPI模組, 其中FilmZ用於測試SiC/SiC, Si/Si, III/V, SOI,MEMS,PR(大於1um)等. PD EPI模組可測試多層SiC外延層.帶有12inch多點樣品台,直接測試得到多點測試圖譜
SiC膜厚測試範圍 2um-250um
SiC膜厚測試精度 0.01um,典型值
SiC膜厚測試重複性(3-sigma,10次) 3nm(FilmZ), 1nm(PD EPI) 基於貴司送測樣品
常規膜厚測試範圍 0.5um-1000um. 與材料有關
高強度水冷散熱的陶瓷外殼中紅外光源 輸出光譜範圍9600 cm-1 -50cm-1
KBr光束分頻器,中紅外光通量 7500-375 cm-1
光譜測試範圍 6000cm-1 - 400cm-1 (1.7 um to 25 um)
光譜解析度 0.5 cm-1 - 32 cm-1
信噪比 50000:1
測試時間 單點小於5s
300mm多點測試平臺 系統軟體直接生成多點mapping圖,2D和3D圖形
相容小尺寸 2-8inch
Michelson干涉儀, 60°空氣軸承結構的
分光鏡 2.25inch直徑
入射角 30度
