· 應用：半導體材料、太陽能電池材料(矽、多晶矽、碳化矽等)，新材料、功能材料(碳納米管、DLC、石墨烯、納米銀線等)
導電薄膜(金屬、ITO等)，擴散層，矽相關外延材料，離子注入樣品。
· 有多點測量功能(最大1225點)，支援Mapping功能，提供2D圖/3D圖像分析。
· 金屬膜厚換算功能。
· 測試資料可通過CSV格式檔匯出。
· 符合以下ASTM & JIS的要求。
JIS H 0602-1995,JIS K 7194-1994。
< ASTM >
ASTM F 84 - 99(SEMI MF84)
ASTM f374 -00a,
ASTM F 390-11,
ASTM F 1529-97
· 樣品尺寸：
支持最大8寸，或156x156mm
· 測量範圍：
V/I 電阻: 1.0m - 3.0M Ω
方阻: 5.0m - 10.0M Ω/sq
電阻率: 1.0m - 300.0k Ω.cm
